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解決寬禁帶襯底上高效率 LED 芯片的若干基礎科學(xué)問(wèn)題，研 究高密度載流子注入條件下的束縛激子及其復合機制；探索通信調制功能和 LED 照明器件相互影響機理。重點(diǎn)研究方向：

広バンドギャップ基板における高効率LEDチップの若干の基礎科學(xué)課題を解決し、高密度キャリア注入條件における束縛勵起子及びその複合メカニズムを研究する。通信変調機能とLED照明デバイスの相互影響メカニズムを探索する。重點(diǎn)的な研究方向：

1、超高效率氮化物 LED 芯片基礎研究

研究大注入條件下 LED 的發(fā)光機理，建立功率 LED 器件的基 本物理模型，研制高質(zhì)量氮化物半導體量子阱材料和超高效率氮 化物 LED 芯片并完成應用驗證，提出提高氮化物 LED 發(fā)光效率的 新概念、新結構、新方法，突破下一代白光 LED 核心技術(shù)。

1、超高効率窒化物LEDチップ基礎研究

大注入條件におけるLEDの発光メカニズムを研究し、パワーLEDデバイスの基本物理モデルを確立し、高品質(zhì)窒化物半導體量子井戸材料及び超高効率窒化物LEDチップを開(kāi)発し、かつ応用実証を完成し、窒化物LED発光効率を向上する新概念、新構造、新方法を提出し、次世代白光LEDコア技術(shù)を開(kāi)発する。

2、新型微納結構半導體照明

研究微納材料和技術(shù)對白光 LED 效率的作用機理，掌握提高 LED 量子效率的方法，突破下一代白光照明核心微納技術(shù)。研究 納米圖形襯底的制備原理及對外延材料的影響機理；研究表面等 離子體結構對半導體照明器件量子效率的提升作用；研究微納結構的作用機理和出光效率的提升方法。

2、新型マイクロ?ナノ構造半導體照明

マイクロ?ナノ材料と技術(shù)の白光LED効率への作用メカニズムを研究し、LED量子効率を向上する方法を把握し、次世代白光照明コアマイクロ?ナノ技術(shù)を開(kāi)発する。ナノパターン基板の製作原理及び外延材料への影響メカニズムを研究する。表面プラズマ構造の半導體照明デバイス量子効率への向上作用を研究する。マイクロ?ナノ構造の作用メカニズム及び出光効率の向上方法を研究する。

3、短距離光通信與照明結合的新型 LED 器件基礎研究 重點(diǎn)開(kāi)展載流子復合通道和壽命的關(guān)聯(lián)性、摻雜機理、電流通路高速響應機制、外延芯片封裝結構對照明及通信質(zhì)量的調控、器件級通信質(zhì)量分析驗證、LED 芯片與探測器單片集成機理 和工藝、高速短距離光通信單元組件等研究。開(kāi)展新型LED 器件 相關(guān)物理問(wèn)題的研究，研制出通信、照明兩用的高速調制的創(chuàng )型 LED 通信照明光源。

3、短距離光通信と照明と結合の新型LEDデバイス基礎研究 
キャリア複合ルートと壽命との関連性、ドーピングメカニズム、電流経路高速応答體制、外延チップ封止構造の照明及び通信品質(zhì)への調整、デバイスクラス通信品質(zhì)分析実証、LEDチップと探測器シングルチップ集積メカニズムとプロセス、高速短距離光通信アセンブリユニットなどの研究を重點(diǎn)的に行う。新型LEDデバイス関連物理課題の研究を行い、通信、照明両用の高速変調の革新型LED通信照明光源を開(kāi)発する。

4、超高效 OLED 白光器件基礎研究 重點(diǎn)開(kāi)展載流子注入和激子復合機理、金屬電極等離子體淬 
滅機理及其應對方法、表面等離子局域發(fā)光增強機理和方法、出 光提取、新型發(fā)光材料和主體材料的設計、藍色磷光材料的退化 機理、高效長(cháng)壽命疊層白光 OLED 器件等研究；力求制備出 1000 尼特條件下光效超過(guò) 120 lm/W 的有機白光器件。

4、超高効率 OLED白光デバイス基礎研究 
キャリア注入と勵起子複合メカニズム、金屬電極プラズマ焼き入れメカニズムとその対応方法、表面プラズマ領(lǐng)域発光増強メカニズムと方法、出光抽出、新型発光材料と主體材料の設計、青色燐光光材料の退化メカニズム、高効率長(cháng)壽命積層白光 OLEDデバイスなどの研究を重點(diǎn)的に行う。1000nit條件における光効果が 120 lm/W以上の有機白光デバイスを製造できるように努力する。